PREMIUM SA · ENGINEERING INSIGHT · CONVERSIÓN RESONANTE DE ALTA DENSIDAD · 2026

Convertidores resonantes trifásicos e integración magnética planar

Topologías, control de equilibrio de corriente y magnéticos planares a 1 MHz: la ruta hacia la altísima densidad de potencia en DC-DC.

Resumen ejecutivo

Los convertidores resonantes son la piedra angular de las etapas DC-DC de alta eficiencia en cargadores rápidos de vehículo eléctrico, fuentes de servidor e infraestructura de telecomunicaciones. Su red resonante LC modela las formas de onda para lograr conmutación suave —ZVS en el primario y ZCS en los rectificadores del secundario—, eliminando prácticamente las pérdidas de conmutación y permitiendo operar a alta frecuencia con pasivos más pequeños.

El paso de monofásico a trifásico intercalado con desfase de 120° cancela de forma natural el rizado de corriente de salida por superposición de las fases, reduce drásticamente el filtro capacitivo y reparte las pérdidas térmicas entre semiconductores. A cambio, multiplica por tres el número de componentes magnéticos y expone el sistema al desequilibrio de corriente entre fases por las tolerancias de fabricación (±10 % típico). Este artículo recorre las topologías (LLC, CLLC, LCC, SRC), las estrategias de equilibrio (estrella flotante, CPAB), la modulación híbrida PFM+PSM, y la integración magnética planar que —junto a la refrigeración conductiva con AlN— habilita la operación a 1 MHz con altísima densidad de potencia.

Las cifras de prototipos y mejoras están trazadas a la bibliografía técnica revisada relacionada al final; las propiedades de materiales, a literatura pública. Donde una cifra carece de respaldo verificable, se señala explícitamente como pendiente de confirmación de fuente.

Por qué trifásico: la cancelación de rizado a 120°

Los convertidores resonantes monofásicos rinden bien a baja potencia, pero presentan un rizado de corriente de salida elevado que somete a los condensadores de filtro a un estrés térmico y de corriente severo, obligando a sobredimensionarlos. La estructura trifásica intercalada resuelve este cuello de botella: al operar las tres ramas con un desfase de 120° entre las señales de disparo, la suma de las corrientes rectificadas desfasadas produce un flujo de potencia casi continuo con un rizado residual muy bajo. El efecto inmediato es una reducción drástica del tamaño y la capacidad del filtro de salida, con la consiguiente ganancia de densidad de potencia y mejor distribución térmica entre los semiconductores.

El esquema siguiente sitúa la cadena de conversión completa y anticipa el punto donde se juega la densidad de potencia: el núcleo magnético planar integrado.

Topologías de redes resonantes trifásicas

Las topologías dominantes en alta frecuencia son LLC, CLLC y LCC, cada una con un perfil distinto de ganancia, impedancia y comportamiento bidireccional. En el LLC, cada fase integra un inductor resonante serie (Lr), un condensador serie (Cr) y la inductancia de magnetización paralela (Lm) del transformador; por debajo de la frecuencia de resonancia, Lm participa y aporta capacidad elevadora. Las frecuencias de resonancia se rigen por fr1 = 1/(2π·√(Lr·Cr)) y fr2 = 1/(2π·√((Lr+Lm)·Cr)), y la relación de inductancias se define como m = Lm/Lr; operando fs próxima a fr1, el convertidor alcanza su punto de máxima eficiencia con ganancia unitaria.

Tabla 1 — Comparativa de topologías resonantes (trazada a bibliografía).

En la conexión del primario, la opción en triángulo (Δ-Cr) reduce la corriente del tanque por un factor √3 —y con ella la pérdida de cobre del devanado a un tercio frente a la estrella en paralelo—, pero impone una penalización: el estrés volt-segundo sobre el transformador de alta frecuencia aumenta también en √3.

Estrella flotante (Y-primary) y reparto natural de corriente

La configuración más habitual conecta los primarios de los tres transformadores en estrella con un punto neutro común flotante. Esta conexión altera dinámicamente la tensión del nodo neutro, remodelando las corrientes resonantes hacia una forma más rectangular que sinusoidal: al aplanar los picos, reduce la corriente de pico y el valor RMS frente a un monofásico de igual potencia, disminuyendo las pérdidas de conducción. Más importante aún, aporta una capacidad de equilibrio de corriente natural muy superior a la de convertidores independientes en paralelo.

Desequilibrio de corriente y mitigación activa

Pese al balance natural del nodo estrella, las tolerancias de fabricación de los pasivos (±10 % típico) modifican la impedancia de cada fase y generan asimetría térmica y rizado adicional en el condensador de salida. Las soluciones por hardware (transformadores de equilibrio) añaden pérdidas y volumen, por lo que se prefiere el control activo:

• CPAB (Current Phase Angle Balancing): regula directamente los ángulos de fase de las corrientes resonantes con lazos PI dedicados para mantener un desfase espacial de 120° exacto, limitando el desajuste residual a menos del 5 % incluso con tolerancias severas. Supera a la histórica TCB (Trigonometric Current Balancing), de pobre respuesta transitoria.
• Algoritmo en tiempo real basado en RMS: mide las corrientes RMS individuales y ajusta linealmente el desfase de las tensiones de entrada (canales V y W respecto a la referencia U), reduciendo el factor de desequilibrio a menos del 2 % en todo el rango de frecuencias.
• Modulación por desplazamiento de fase (PSM): en estructuras de dos módulos trifásicos en paralelo, PFM regula la tensión y PSM reparte la corriente; el desfase de 30° entre módulos minimiza el rizado total de salida.

La implementación estable exige un diseño de lazo cuidadoso: en una aplicación de referencia, el lazo de tensión (PFM) usa un compensador PI con cruce a 5 kHz y margen de fase de 96°, mientras el lazo de reparto de corriente (PSM) emplea compensadores integrales con cruce más bajo, a 500 Hz y margen de 91°, para evitar interacción entre lazos. Con un desajuste físico LrA=20 µH y LrB=16 µH, sin reparto activo los desfases quedan bloqueados en 40,5° idénticos; con PSM activo el controlador los diverge dinámicamente (41,8° y 39,2°) y restaura la simetría de corriente.

Modulación híbrida PFM + PSM

El control convencional PFM varía la frecuencia de conmutación para regular la tensión, pero los rangos de tensión muy amplios (un cargador EV puede ir de 200 V a 1000 V) lo fuerzan a barrer un espectro de frecuencia enorme, complicando el filtro EMI, los drivers y los magnéticos, y aumentando las pérdidas por corriente circulante lejos de resonancia. El esquema híbrido usa PFM por debajo de resonancia (modo elevador, alta eficiencia) y activa PFM+PSM por encima: al desplazar el ángulo de fase entre ramas se genera una onda de tensión de tres niveles que ajusta la excitación efectiva del tanque, minimizando el rango de frecuencia y la energía reactiva circulante. La variante VFSHC, basada en la relación de conversión de tensión (VCR), conmuta de modo sin transitorios y elimina por completo la «región inoperativa» de los esquemas híbridos convencionales.

Integración magnética planar: tres en uno

El gran inconveniente del trifásico es la escalada de componentes magnéticos: tres inductores y tres transformadores independientes elevan volumen, coste y complejidad de ensamblaje. La integración planar los fusiona en una única estructura. Repartiendo los primarios sobre las patas de un núcleo de tres columnas, la suma de los flujos desfasados 120° se cancela en la columna central, lo que reduce drásticamente las pérdidas de núcleo y simplifica la térmica. Con semiconductores WBG (SiC/GaN) la frecuencia sube al rango de 500 kHz a más de 1 MHz, habilitando devanados de cobre en PCB y núcleos planos de muy bajo perfil.

No todas las geometrías son iguales. El núcleo cuadrado integrado clásico sufre caminos de reluctancia asimétricos —la columna central es más corta que las externas— que inducen desequilibrio de fase. Una solución espacial elegante es el núcleo planar cilíndrico, que impone simetría tridimensional completa y alinea las reluctancias de las tres fases. Para corrientes muy altas se recurre al transformador matricial (primarios en serie, secundarios en paralelo), que reparte el estrés de tensión y la disipación de calor.

Tabla 2 — Estrategias de integración magnética planar (trazada a bibliografía).

Gestión térmica del núcleo a 1 MHz: el papel del AlN

Al subir a 1 MHz, las pérdidas de núcleo en la ferrita crecen y empujan los componentes planos hacia sus márgenes térmicos. El reflejo de meter un inserto metálico (cobre, aluminio) para refrigerar internamente el transformador es contraproducente: el campo magnético alterno induce severas corrientes de Foucault en el metal, disparando las pérdidas. La solución es un material que conduzca el calor pero aísle eléctricamente: el nitruro de aluminio (AlN).

El AlN combina una conductividad térmica elevada —del orden de 150–180 W/(m·K), y hasta 230 W/(m·K) en grados comerciales premium, comparable a la de algunos metales— con una rigidez dieléctrica alta. Es, además, entre 7 y 10 veces mejor conductor térmico que la alúmina (Al₂O₃, ~30 W/(m·K)), barata pero pobre, y a diferencia del óxido de berilio (BeO, ~260 W/(m·K)) no es tóxico. Al ser cerámico no conductor, intercalar finas láminas de AlN (p. ej., 0,5 mm) dentro de la pila de bloques de ferrita crea canales de enfriamiento conductivo internos sin inducir corrientes parásitas, evacuando el calor de las zonas internas —típicamente las más calientes— y reduciendo la temperatura de pico del núcleo.

Semiconductores WBG: el habilitador y sus restricciones

La operación a alta frecuencia la hacen posible los semiconductores de banda ancha. Frente al silicio (Eg 1,1 eV, campo crítico 0,3 MV/cm, movilidad 1400 cm²/V·s), el SiC (3,3 eV, 3,0 MV/cm, 900 cm²/V·s, excelente conductividad térmica) y el GaN (3,4 eV, 3,3 MV/cm, 2000 cm²/V·s) permiten regiones de deriva más finas, menor Rds(on) y tensiones de bloqueo de 650 V (GaN lateral) a 1200 V+ (SiC vertical).

El precio es un diseño de hardware exigente. Los dv/dt de cientos de voltios por nanosegundo excitan los parásitos del circuito, generando oscilaciones, EMI e inestabilidad. En GaN E-mode, con una ventana de puerta estrecha (−10 V a 7 V) y umbral bajo (Vth < 2 V), el crosstalk de puerta puede provocar encendidos falsos catastróficos. El diseñador debe emplear gate drivers con Miller clamp activo, conexiones Kelvin de fuente y layouts PCB estrictamente simétricos para suprimir picos y mantener las fronteras de conmutación suave.

Prototipos validados

La industria ha construido y medido varias plataformas que confirman las ventajas de la arquitectura:

Tabla 3 — Prototipos publicados (parámetros y logros, trazados a bibliografía).

Síntesis — criterio de diseño Premium SA

Trasladado a recomendaciones de proyecto, la arquitectura resonante trifásica se ordena así:

• Bidireccionalidad → CLLC: para V2G y almacenamiento en red, el CLLC sobre el LLC garantiza ganancia simétrica y fronteras de conmutación suave idénticas en ambos sentidos.
• Balance pasivo → estrella flotante: en alta potencia con envejecimiento o tolerancias esperables, el nodo Y flotante aporta balance de coste cero (<15 %) y auto-compensación de deriva.
• Balance fino → CPAB por software: para aplicaciones críticas, CPAB junto al nodo flotante lleva el desajuste por debajo del 5 % sin hardware adicional.
• Rango amplio → híbrido PFM+PSM (VFSHC): limita el espectro de frecuencia, optimiza los magnéticos planares y evita la región inoperativa.
• Densidad → magnéticos planares + AlN: núcleos cilíndricos o matriciales para cancelar flujo y repartir calor; AlN conductivo para subir el límite térmico a 1 MHz sin inducir Foucault.
• WBG → layout disciplinado: Miller clamp activo, Kelvin source y simetría de PCB para domar el dv/dt del SiC/GaN.

Fuentes y trazabilidad

Catálogo interno Premium SA: bloque B4 (topologías resonantes y multilevel, manual_avanzado_diseno), B8 (componentes pasivos / magnéticos), B7 (gestión térmica avanzada). Coherente con el artículo Premium «Inversores Multinivel» v1.0 (no se solapa: aquel cubre la etapa inversora; este, la etapa DC-DC resonante).

Literatura técnica externa (selección):

• Arquitectura y control trifásico: estudios sobre LLC/CLLC/LCC trifásicos, current sharing, CPAB y modulación híbrida PFM-PSM (IEEE/MDPI/ResearchGate; cargador SiC 30 kW de Wolfspeed).
• Integración planar: núcleo cilíndrico simétrico y transformadores matriciales para LLC trifásico de alta frecuencia (MDPI Energies; tesis de magnetic integration, White Rose).
• Propiedades del AlN: datos de materiales (Kyocera, Precision Ceramics, fabricantes de sustratos): λ 150–230 W/(m·K) según grado; alúmina ~30 W/(m·K); BeO ~260 W/(m·K) tóxico; CTE acorde a Si.
• Cifras de mejora de potencia con AlN: estudio de simulación citado en el material de origen — pendiente de confirmación de fuente primaria antes de su publicación como dato cerrado.